北京（e）用SOC计算Cs2TiI4Br2的DOS和投影DOS。
4.3、电力M+/Sb3+卤化物双钙钛矿图八、Cs2AgSbCl6的带隙调节（a）Cs2AgSbxIn1−xCl6的成键和反键能带示意图。交易交易（f）由optB88-vdW泛函计算的Cs2AgBiBr6和竞争相位的近似相关相图。
中心左图和右图分别是Cs3Sb2I9和n=3时假设的Cs3+nM(II)nSb2X9+3n的晶体结构。月市6亿（e）Cs2AgSbCl6的拟用带图。场化（c）三维Cs2AgBiBr6双钙钛矿的室温单晶X射线结构。
规模（c）PBE计算的能带结构表明Cs2AgInCl6的弱转变参数。通常情况下，千瓦化合物的制备通常还需要高温，这种高加工温度要求限制了这类化合物的各种应用。
TGA（黑线），北京DSC（绿线）。
电力（b）温度随单位体积（V）和立方轴长度的相关变化。另外，交易交易这会增加其他设备使用Tizen操作系统的可能性，更多的应用意味着更多兴趣。
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